Prof. Dr. Alex Dommann
NT Buchs
Analytik an ultraschnellem Silizium (SiGe)
Donnerstag 5. Juni 2003,
um 19:30 Uhr
ETH Hauptgebäude Hörsaal HG F5, Rämistrasse 101
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X-ray RSM around two Bragg reflections of a complete high-speed pMOS layer sequence. The areas of the strained channel have been measured with reduced resolution and extended exposure time to compensate for the low intensity resulting from the small layer thickness.
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Inhalt des Vortrages ist die Analytik, welche notwendig ist, um die Herstellung von elektronischen Bauelementen auf SiGe-Basis zu ermöglichen. Dabei werden vor allem strukturelle Defekte der Kristallstruktur mit Hilfe von hochauflösender Röntgenstreuung untersucht. Bei Unaxis wurden in Zusammenarbeit mit der Gruppe von PD H. von Känel (ETHZ) ein neuartiger Prozess und entsprechende Produktionsanlagen entwickelt zur Herstellung von elektronischen Bauelementen auf SiGe-Basis, welche anschliessend in konventionellen CMOS-Linien weiter prozessiert werden können.
Der neuentwickelte "niederenergetische plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsprozess (Low Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition LEPECVD) wurde ausgetestet und zur Produktionstauglichkeit, vorallem für Heterojunction-Feldeffekt-Transistoren (H-FETs), weiterentwickelt.
E-Mail: alex.dommann@ntb.ch
Web: www.ntb.ch/2262.html
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