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Physikalische Gesellschaft Zürich
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Dr. Christophe Rossel
Zurich IBM Research GmbH, Rüschlikon

Erreicht die CMOS Technologie ihre Grenzen?

Donnerstag 24. September 2009, um 19:30 Uhr
ETH Hauptgebäude Hörsaal HG F5, Rämistrasse 101

/events/ws0910/event.20090924-2/cmos_150.jpg
Querschnitt durch zwei CMOS-Transistoren (Quelle: Wikipedia)

Die Entwicklung der Silizium-MOS-Bauelementetechnologie war in den letzten Jahrzehnten durch die ständige Skalierung bzw. Reduzierung der Strukturgrößen der Bauelemente bestimmt.

Dieser Fortschritt basierte auf der Entwicklung geeigneter Strukturierungsverfahren, Maskentechniken, Photolacke usw. Der prinzipielle Aufbau der MOS-Bauelemente wurde dabei nur geringfügig verändert.

Heute stösst diese geometrische Skalierung der Bauelemente jedoch an physikalische Grenzen, und weitere Verbesserungen können nur noch durch die Einführung neuer Materialien und Strategien in die Halbleiterfertigung erreicht werden.

Von zentraler Bedeutung ist die Verringerung der Gate-Oxiddicke im Frontend-Bereich der CMOS- Technologie - die physikalischen Schichtdicken liegen bereits unter 2 nm - die nur mit Hilfe von High-k- Dielektrika und Metall-Gate Elektroden möglich ist.

Innovative Bausteinkonzepte und Integrationschemen sind auch gefragt, um über die aktuelle ‘Technology Roadmap’ hinaus zu blicken (beyond CMOS). Die heutigen Probleme und Herausforderungen sowie die möglichen Alternativen werden diskutiert.

Bei IBM Rüschlikon findet sich ein Übersichtsartikel zu diesen neuen Materialien. Wikipedia erklärt CMOS-Technologie auf deutsch und englisch.


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