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Physikalische Gesellschaft Zürich
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Dr. Christophe Rossel
Zurich IBM Research GmbH, Rschlikon

Erreicht die CMOS Technologie ihre Grenzen?

Donnerstag 24. September 2009, um 19:30 Uhr
ETH Hauptgebude Hrsaal HG F5, Rmistrasse 101

/events/ws0910/event.20090924-2/cmos_150.jpg
Querschnitt durch zwei CMOS-Transistoren (Quelle: Wikipedia)

Die Entwicklung der Silizium-MOS-Bauelementetechnologie war in den letzten Jahrzehnten durch die stndige Skalierung bzw. Reduzierung der Strukturgren der Bauelemente bestimmt.

Dieser Fortschritt basierte auf der Entwicklung geeigneter Strukturierungsverfahren, Maskentechniken, Photolacke usw. Der prinzipielle Aufbau der MOS-Bauelemente wurde dabei nur geringfgig verndert.

Heute stsst diese geometrische Skalierung der Bauelemente jedoch an physikalische Grenzen, und weitere Verbesserungen knnen nur noch durch die Einfhrung neuer Materialien und Strategien in die Halbleiterfertigung erreicht werden.

Von zentraler Bedeutung ist die Verringerung der Gate-Oxiddicke im Frontend-Bereich der CMOS- Technologie - die physikalischen Schichtdicken liegen bereits unter 2 nm - die nur mit Hilfe von High-k- Dielektrika und Metall-Gate Elektroden mglich ist.

Innovative Bausteinkonzepte und Integrationschemen sind auch gefragt, um ber die aktuelle Technology Roadmap hinaus zu blicken (beyond CMOS). Die heutigen Probleme und Herausforderungen sowie die mglichen Alternativen werden diskutiert.

Bei IBM Rschlikon findet sich ein bersichtsartikel zu diesen neuen Materialien. Wikipedia erklrt CMOS-Technologie auf deutsch und englisch.


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