HOME  > Veranstaltungen  > FS 03  > Dommann: Silizium-Analytik
PGZ .
Physikalische Gesellschaft Zürich
. . .
  
<br>
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
>
- Dommann
  
- Amsler
  
  
- Enz
  
  
  
  
  
  
  
  
<br>
  
  
  
.
Prof. Dr. Alex Dommann
NT Buchs

Analytik an ultraschnellem Silizium (SiGe)

Donnerstag 5. Juni 2003, um 19:30 Uhr
ETH Hauptgebude Hrsaal HG F5, Rmistrasse 101

/events/ss03/event.20030605/dommann_150.jpg
X-ray RSM around two Bragg reflections of a complete high-speed pMOS layer sequence. The areas of the strained channel have been measured with reduced resolution and extended exposure time to compensate for the low intensity resulting from the small layer thickness.

Inhalt des Vortrages ist die Analytik, welche notwendig ist, um die Herstellung von elektronischen Bauelementen auf SiGe-Basis zu ermglichen. Dabei werden vor allem strukturelle Defekte der Kristallstruktur mit Hilfe von hochauflsender Rntgenstreuung untersucht.

Bei Unaxis wurden in Zusammenarbeit mit der Gruppe von PD H. von Knel (ETHZ) ein neuartiger Prozess und entsprechende Produktionsanlagen entwickelt zur Herstellung von elektronischen Bauelementen auf SiGe-Basis, welche anschliessend in konventionellen CMOS-Linien weiter prozessiert werden knnen.

Der neuentwickelte "niederenergetische plasmauntersttzte chemische Gasphasenabscheidungsprozess (Low Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition LEPECVD) wurde ausgetestet und zur Produktionstauglichkeit, vorallem fr Heterojunction-Feldeffekt-Transistoren (H-FETs), weiterentwickelt.

E-Mail: alex.dommann@ntb.ch
Web: www.ntb.ch/2262.html

Zu dieser Veranstaltungen sind weiterführende Dokumente verfügbar

File Format Grösse Download
mit 1 Mbps
LEPECVD Provides High-Quality Virtual Substrates PDF 69.1 kB <10 Sekunden


[Wegbeschreibungen]   [Veranstaltungs-Uebersicht]

. . .
  
.